Die Vorlesung führt ein in die Grundlagen moderner optoelektronischer Materialien, Bauelemente und Systeme. Aufbauend auf den Grundlagen der Halbleiterphysik und den etablierten Herstellungsverfahren wird die Funktionsweise von Bauelemente wie Dioden, Detektoren, Halbleiterleuchtdioden und Halbleiterlaser sowie unterschiedliche Transistortypen behandelt.
Content of the course:
Light matter interactions
Physical basics
Electronic and optical properties of semiconductors (organic and inorganic materials)
Semiconductor heterostructures (with quantum confinement)
Thin film deposition systems (PVD, CVD,..)
Photodetectors and solar cells
LED and Lasers
Nanophotonics, plasmonics, metamaterials, and emerging optoelectronic materials
Transistors (state of the art, novel device structures (with electrolytic gate) and new power devices (e.g. insolated gate bipolar transistor)
Rhythmus | Tag | Uhrzeit | Format / Ort | Zeitraum |
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Modul | Veranstaltung | Leistungen | |
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28-M-EP Experimentalphysik | Experimentalphysik (A) | benotete Prüfungsleistung
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Studieninformation |
28-M-VBN Vertiefung | Vertiefung (A.1) | benotete Prüfungsleistung
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Studieninformation |
28-M-VP Vertiefung | Vertiefung (A.1) | benotete Prüfungsleistung
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Studieninformation |
Die verbindlichen Modulbeschreibungen enthalten weitere Informationen, auch zu den "Leistungen" und ihren Anforderungen. Sind mehrere "Leistungsformen" möglich, entscheiden die jeweiligen Lehrenden darüber.
Zu dieser Veranstaltung existiert ein Lernraum im E-Learning System. Lehrende können dort Materialien zu dieser Lehrveranstaltung bereitstellen: